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  IR HiRel GaN HEMT –氮化镓晶体管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容，非常适合于高速开关。IR-HiRel不仅节省了功率，降低了系统的整体成本，而且允许更高的工作频率，提高了功率密度和系统的整体效率。

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  Solitron Devices SD11714 1200V SiC N沟道功率MOSFET 2025-05-29 09:00:32

  Solitron Devices 公司的 SD11714 是一款 1200V SiC N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-257 气密封装，具有低导通电阻（160mΩ@25°C）和低栅极电荷，支持 17A 连续漏极电流和 97W 最大功耗，工作温度范围 -55°C 至 +175°C，适用于开关电源、DC-DC 转换器、PFC 电路等高可靠性应用。