IR HiRel集成电路光伏继电器

发布时间:2021-11-16 17:12:45     浏览:917

IR HiRel的光伏继电器(PVR)是远程操作控制开关(开/关),具备从输入到输出的完全电气隔离。输出端无需电源模块。

IR HiRel集成电路PVR的运行基本参数特别适合将仪器仪表和数据采集中的低电平数据信号负载转换到工业控制系统和过程自动化中的中等工作功率负载,即从微伏和微安到400V(交流峰值或直流)的电流量当接触电阻低至15毫欧时,最高能达6.0APVR选用IR HiRel的工作功率MOSFETIGBT用作输出开关,由集成电路光伏发电机安装驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管(LED)的辐射控制,IR HiRel集成电路二极管与光伏发电机实现光学隔离。这种隔离为消费者提供触电保护,并保护电子产品设备仪器(如微处理器)免遭高压尖峰的影响。深圳市cq9电子官网入口创展科技有限公司,优势渠道供货IR HiRel高可靠性系列产品,欢迎各界前来咨询。

详情了解IR HiRel,请点击:http : /public/brand/65.html

或联系我们的销售工程师: 0755- 83642657    QQ  2295048674

 ir hirel (1).jpg

Product

Type

Isolation Voltage [Vrms]

Control Current nominal min [mA]

Load Current AC [mA]

Load Current DC [mA]

Load Voltage AC V(peak) max [V]

Load Voltage DC max [V]

Response Time On max [?s]

Response Time Off max [?s]

Thermal Offset [?V]

PVD1354NS

1 Form A

4000

5


550


100

150

125

0.2

PVT312

1 Form A

4000

5

190

320

250

250

3000

500


PVG612

1 Form A

4000

10

1000

2000

60

60

2000

500


PVAZ172NS

1 Form A

4000

10

1000

1000

60

60

2000

500


PVT412LS

1 Form A

4000

5

120

200

400

400

2000

500

0.5

PVA3354N

1 Form A

4000

5

150

150

300

300

100

110

0.2

PVA3055NS

1 Form A

4000

5

50

50

300

300

60

100

0.2

PVT212

1 Form A

4000

5

550

825

150

150

3000

500


PVN012S

1 Form A

4000

5

2500

4500

20

20

5000

500


PVD1352N

1 Form A

4000

5


550


100

150

125

0.2

PVT412

1 Form A

4000

5

140

210

400

400

2000

500

0.5

PVU414S

1 Form A

4000

5

140

210

400

400

500

200

0.2

PVT212S

1 Form A

4000

5

550

825

150

150

3000

500


PVAZ172N

1 Form A

4000

10

1000

1000

60

60

2000

500


PVT322

2 Form A

4000

5

170

170

250

250

3000

500


PVU414

1 Form A

4000

5

140

210

400

400

500

200

0.2

PVT422

2 Form A

4000

5

120

120

400

400

2000

2000


PVT312LS

1 Form A

4000

5

170

300

250

250

3000

500


PVD1352NS

1 Form A

4000

5


550


100

150

125

0.2

PVA1352N

1 Form A

4000

5

375

375

100

100

150

125

0.2

PVT412AS

1 Form A

4000

5

240

360

400

400

3000

500

0.5

PVD1354N

1 Form A

4000

5


550


100

150

125

0.2

PVA1352NS

1 Form A

4000

5

375

375

100

100

150

125

0.2

PVDZ172N

1 Form A

4000

10


1500


60

2000

500


PVT312L

1 Form A

4000

5

170

300

250

250

3000

500


PVDZ172NS

1 Form A

4000

10


1500


60

2000

500


PVG612S

1 Form A

4000

10

1000

2000

60

60

2000

500


PVA3354NS

1 Form A

4000

5

150

150

300

300

100

110

0.2

PVT412A

1 Form A

4000

5

240

360

400

400

3000

500

0.5

PVN012

1 Form A

4000

5

2500

4500

20

20

5000

500


PVA1354N

1 Form A

4000

5

375

375

100

100

150

125

0.2

PVT322AS

2 Form A

4000

5

170

170

250

250

3000

500


PVT312S

1 Form A

4000

5

190

320

250

250

3000

500


PVA3054N

1 Form A

4000

5

50

50

300

300

60

100

0.2

PVT412S

1 Form A

4000

5

140

210

400

400

2000

500


PVT322S

2 Form A

4000

5

170

170

250

250

3000

500


PVA1354NS

1 Form A

4000

5

375

375

100

100

150

125

0.2

PVT422S

2 Form A

4000

5

120

120

400

400

2000

2000


PVA3324NS

1 Form A

4000

2

150

150

300

300

100

110

0.2

PVX6012

1 Form A

3750

5

1000

1000

400

400

7000

1000


PVA2352N

1 Form A

4000

5

150

150

200

200

100

110

0.2

PVA3055N

1 Form A

4000

5

50

50

300

300

60

100

0.2

PVT412L

1 Form A

4000

5

120

200

400

400

2000

500

0.5

PVA3054NS

1 Form A

4000

5

50

50

300

300

60

100

0.2

PVA3324N

1 Form A

4000

2

150

150

300

300

100

110

0.2

PVT322A

2 Form A

4000

5

170

170

250

250

3000

500


PVG612A

1 Form A

4000

10

2000

4000

60

60

3500

500


PVG612AS

1 Form A

4000

10

2000

4000

60

60

3500

500



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