Q-TECH数字补偿晶振MCXO

发布时间:2022-01-06 15:13:49     浏览:1381

数字补偿晶体振荡器采用单片机技术进行温度数字补偿的晶体振荡器称为MCXOMCU主要用于对温度传感器的温度值进行采样,将结果存储在单片机中,将补偿数据信号输出到高精度D/A转换,发送到补偿电路获得补偿电压,并通过补偿电压对振荡频率进行补偿,从而大大降低温度变化对晶体振荡器稳定性的影响

Q-TECH数字补偿晶振MCXO特点:

功耗小于90MWOCXO性能

初始化时间:<5 秒从启动到完全性能

启动时间:20 ms到±50 ppm

深圳市cq9电子官网入口创展科技有限公司授权代理销售Q-TECH产品,备件现货,欢迎与业界同行合作。

详情了解Q-TECH请点击:  http    /public/brand/60.html

或联系我们的销售工程师:0755-83050846 QQ3312069749

 

型号

尺寸(毫米)

逻辑类型

电源电压

包装类型

稳定

相位本底噪声

QT2010

25.4 x 25.4 x 13.5

CMOS

3.3Vdc

Through Hole

±5ppb to ±30ppb

-176 dBc/Hz @ 10MHz

QT2010

25.4 x 25.4 x 13.5

SINE

3.3Vdc

Through Hole

±5ppb to ±30ppb

-166 dBc/Hz @ 81.27MHz

QT2020

25.40 x 50.80 x 8.26

CMOS, SINE

3.3Vdc

Dual In-line 38 Pin

±5ppb to ±30ppb

-176 dBc/Hz @ 10MHz


推荐资讯

  • WYO222MCMBF0KR陶瓷圆盘高频电容器VISHAY
    WYO222MCMBF0KR陶瓷圆盘高频电容器VISHAY 2024-09-29 10:06:08

    WYO222MCMBF0KR是VISHAY生产的单层陶瓷电容器,由两面镀银陶瓷盘构成,连接引线为直径0.6毫米镀锡铜线,有直线或扭结引线两种形式、5.0毫米或7.5毫米的引线间距,外部涂层为蓝色阻燃环氧树脂。它符合相关标准,具有高可靠性、多种特性,电容范围1.0 nF - 12 nF、公差±20%,绝缘电阻等参数明确,额定电压因应用类别而异,还有不同的测试电压,适用于多种场景。

  • MICRON DDR4 SDRAM
    MICRON DDR4 SDRAM 2021-03-01 17:10:53

    MICROND? DR4S DRAM是一种高带宽电子计算机储存器标准规范。它隶属于SDRAM系列储存器产品,提供比DDR3 SDRAM更强的性能指标和更低的电流电压,是全新的储存器标准规范。

在线留言

在线留言