Infineon英飞凌高功率600V/650V碳化硅二极管

发布时间：2023-12-11 09:48:31     浏览：791

　　Infineon是一家知名的半导体公司，而碳化硅(SiC)二极管是一种高功率的半导体器件。英飞凌公司生产的600V和650V碳化硅二极管，面向18kHz和100kHz开关频率区间高效应用，能提供更高的开关速度和更低的开关损耗。

　　碳化硅具有较高的电子饱和漂移速度和热导率，并且能够在高温环境下工作。这使得碳化硅二极管可以在高频率开关和高温条件下实现更高的效率和性能。Infineon的碳化硅二极管产品具有低导通和开关损耗、高温稳定性、低开关噪声和更高的功率密度。他们广泛应用于电力转换、电动汽车、可再生能源和工业领域等高功率应用中。

　　在使用Infineon的碳化硅二极管之前，建议您详细了解产品规格和特性以确保其适用于您的具体应用需求，也可以咨询cq9电子官网入口创展。

Infineon英飞凌高功率600V/650V碳化硅二极管

产品选型

600 V / 1200 V 超软：

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IDB30E120IDW75E60IDB30E60IDP15E60
IDP30E120IDW100E60IDB15E60IDP30E60
IDP18E120IDW30E60

　

650V Rapid 1和Rapid 2二极管：

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IDWD100E65E7IDP15E65D1IDW30C65D1IDP15E65D2
IDWD150E65E7IDW40E65D1IDFW40E65D1EIDP30E65D2
IDWD50E65E7IDP08E65D1IDFW60C65D1IDP30C65D2
IDWD20E65E7IDV20E65D1IDV08E65D2IDP20C65D2
IDWD40E65E7IDP30E65D1IDW15E65D2IDV30E65D2
IDWD30E65E7IDFW80C65D1IDP08E65D2IDP20E65D2
IDWD75E65E7IDW60C65D1IDV15E65D2IDW80C65D2
IDWD60E65E7IDW75D65D1IDW40E65D2IDW20C65D2



IDW30C65D2

　　英飞凌650V Rapid 1及Rapid 2功率二极管是对600V与650V区间高功率二极管产品序列的补充，填补了碳化硅(SiC)二极管和发射极控制二极管之间的空白，是面向超快速和极快速功率二极管市场的优秀产品。全新的极速和超高速二极管系列产品为客户提供无与伦比的效率、可靠性及性价比。额外的50V确保了更高的可靠性。

　　650V Rapid 1二极管

　　英飞凌的Rapid 1二极管系列拥有温度特性稳定的1.35V正向电压 (VF)，确保导通损耗最低并且通过软恢复的方式使EMI辐射降至最小。该器件非常适用于功率因数校正(PFC)的拓扑结构，该结构常见于家用电器，比如空调和洗衣机。

　　650V Rapid 2二极管

　　Rapid 2二极管系列专门针对频率介于40kHz和100kHz区间的应用设计，提供最低的反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复时间(trr)，最大限度地缩短导致功率开关导通损耗的反向导通时间，从而使效率达到最高。

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