Solitron Devices SD11710军用级碳化硅MOSFET

发布时间：2024-01-29 08:56:45     浏览：934

　　Solitron Devices推出的SD11710，是业界首款军用级700V碳化硅 (SiC) N沟道功率MOSFET器件。

　　该SD11710采用极其坚固的气密密封 TO-258 封装，专为最苛刻的工业、航空航天和国防应用而设计。SD11710提供 RDS(开)16mΩ 和 50A 的连续漏极电流。也可根据要求提供 200°C 的工作温度。

Solitron Devices SD11710军用级碳化硅MOSFET

　　主要功能包括：

　　低电容和低栅极电荷

　　由于内部栅极电阻 (ESR) 低，开关速度快

　　在高结温下稳定工作，TJ(max) = 175 °C

　　快速可靠的体二极管

　　卓越的雪崩坚固性

　　与同类最佳的硅MOSFET和IGBT相比，碳化硅具有出色的开关性能，且随温度的变化最小。由于能量损失和反向充电显著降低，效率水平比硅更高，因此在打开和关闭阶段需要的开关功率更高，所需的能量更少。结合高开关频率，这意味着磁性元件更小，大大减轻了系统重量和尺寸。

　　坚固的封装与高温运行相结合，使该SD11710非常适合要求小尺寸、轻量和高效率的最苛刻的电源和电机控制应用。

　　该SD11710提供 COTS、TX、TXV 和空间级筛选。样品有现货供应。

image.png

相关产品推荐：

Solitron宽温金属封装MOS管SD11702-650V 

Solitron宽温金属封装碳化硅二级管SD11800–1200V

更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询cq9电子官网入口创展。

上一篇: Super ITS-921超高性能反向卡口电源连接器Glenair

下一篇: 工业RJ45可现场安装电缆连接器

推荐资讯

  • O08-T-25000X-C-D-B-3-R-X时钟振荡器PDI
    O08-T-25000X-C-D-B-3-R-X时钟振荡器PDI 2024-07-30 09:15:45

    PDI O08系列时钟振荡器，尺寸13x13x5.6毫米，DIP8封装，频率0.03至200 MHz，支持TTL/CMOS等多种输出，频率稳定性±25至100 ppm，工作温度0至+125°C，供电电压1.8至5.0V，适用于原型及大规模生产。

  • iNRCORE 100B-2002 10/100 Base-TX双端口以太网变压器模块
    iNRCORE 100B-2002 10/100 Base-TX双端口以太网变压器模块 2025-05-19 08:58:26

    iNRCORE 100B-2002系列是以太网通信变压器，支持10/100BASE-TX双端口传输，包含标准型（-40°C~85°C）和耐高温型（-55°C~125°C）。具有低损耗（≤1.2dB）、高抗干扰（串扰22-50dB）特性，绝缘耐压1500V，适用于工业网络设备。

在线留言

在线留言