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  IR HiRel GaN HEMT –氮化镓晶体管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容，非常适合于高速开关。IR-HiRel不仅节省了功率，降低了系统的整体成本，而且允许更高的工作频率，提高了功率密度和系统的整体效率。

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  OH320-LA-61003CV压控恒温晶体振荡器(VCOCXO)Connor-Winfield 2024-07-16 09:22:21

  OH320-LA-61003CV VCOCXO，由Connor-Winfield生产，提供10.0 MHz和12.8 MHz频率，3.3 Vdc电源，SM-FR4封装，频率稳定性±10 ppb，工作温度-40至85℃，LVCMOS输出，适用于高精度频率控制应用，如通信、测量和导航。