DEI1160A-SMS八通道分立数字接口IC

发布时间：2024-04-30 09:20:32     浏览：1268

　　DEI1160A-SMS八通道分立数字接口IC是一款采用高压DMOS技术制造的集成电路。它设计用于感知航空电子系统中的八个离散信号，并将其转换为串行逻辑数据。

DEI1160A-SMS八通道分立数字接口IC

　　特征：

　　1. 8个离散输入通道。

　　2. 每个输入通道可以独立配置为GND/OPEN或28V/OPEN格式输入。

　　3. 高抗噪声性能，内置滞后提供抗噪音能力。

　　4. 1mA输入电流，可防止继电器触点干扰。

　　5. 内部隔离二极管，保护输入端免受雷电影响。

　　6. 符合DO160E规范，Cat A3和B3标准。

　　7. 串行I/O接口与SPI总线兼容。

　　8. TTL/CMOS兼容输入和三态输出。

　　9. 10MHz数据速率。

　　10. 逻辑电源电压(VCC)：3.3V或5V。

　　11. 模拟电源电压(VDD)：15V +/-10%。

　　12. 16L SOIC EP封装。

　　属性：

　　1. 温度范围：-55°C至125°C。

　　2. 产品封装类型：16 SOIC EP NB。

　　3. 通道数量：8。

　　4. 模拟电源：15V。

　　5. 数字电源：3.3V/5V。

　　6. 离散输入类型：GND/OPEN或28V/OPEN。

　　7. 输出类型：串口。

　　8. 封装说明：16针塑料SOIC封装，带.150毫米平体外扩引脚。

　　9. 封装类型：表面贴装。

　　10. JEDEC认证：MS-012-AC。

　　DEI1160A-SMS是DEI1160的改进版本，具有更高的瞬态电压抗扰度，可简化设备设计以满足雷电和射频抗扰度要求。该IC的设计旨在提供稳定可靠的信号转换能力，以满足航空电子系统的需求。

深圳市cq9电子官网入口创展科技有限公司，优势提供DEI高端芯片订货渠道，部分备有现货库存。

上一篇: QT3075SXM-53.000MHz双列直插式TCXO温度补偿晶体振荡器Q-Tech

下一篇: WKP102MCPEJ0KR单层陶瓷电容器Vishay

推荐资讯

  • Solitron Devices SD11714 1200V SiC N沟道功率MOSFET
    Solitron Devices SD11714 1200V SiC N沟道功率MOSFET 2025-05-29 09:00:32

    Solitron Devices 公司的 SD11714 是一款 1200V SiC N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-257 气密封装，具有低导通电阻（160mΩ@25°C）和低栅极电荷，支持 17A 连续漏极电流和 97W 最大功耗，工作温度范围 -55°C 至 +175°C，适用于开关电源、DC-DC 转换器、PFC 电路等高可靠性应用。

  • Statek ULPXO石英晶体振荡器超低功耗32.768 kHz
    Statek ULPXO石英晶体振荡器超低功耗32.768 kHz 2025-02-08 08:40:35

    Statek ULPXO 振荡器专为恶劣环境中需超低功耗且能在高冲击水平下生存的应用设计，由高冲击调谐叉石英谐振器和 CMOS 兼容集成电路组成，密封于高冲击陶瓷封装。其主要特点有 5.0 x 1.8 mm 密封陶瓷封装、超低电流消耗、高冲击抗性达 30,000 g 等，且提供全面军事测试，在美国设计、制造和测试。应用于医疗（患者监测设备）、国防与航空航天（坚固实时时钟）、工业（时间保持模块）及物联网等领域。

在线留言

在线留言