Vishay SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET

发布时间：2024-06-18 09:12:31 浏览：1272

　　SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET是一款由Vishay 公司生产的电子元件，属于Si3495DV系列。这款MOSFET采用了TSOP-6封装类型，具有8个引脚，并以其独特的引脚排列方式(Dgume Number 1 73350)进行标识。其主要规格包括：工作电压范围为2.5 V至5.5 V，耐压能力达到1000 V DC，电流容量为200mA/100mΩ，开关频率为2 MHz，绝缘电阻最小值为1.0 kΩ/1000 V DC。此外，该MOSFET还具备其他典型的特性和应用优势，满足各种电路设计和应用的需求。

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA=25 ℃,unless otherwise noted
Paramete		Symbol	5 s	Steady State	Unit
Drain-Source Voltage		Vps	-20		V
Gate-Source Voltage		Vgs	±5
Continuous Drain Current (Tj=150 ℃)?	TA=25 ℃	lb	-7	-5.3	A
	TA=85℃		-3.6	-3.9
Pulsed Drain Curren		DM	-20
Continuous Source Current (Diode Conduction)		ls	-1.7	-0.9
Maximum Power Dissipationa	TA=25℃	Po	2.0	1.1	W
	TA=85 ℃		1.0	0.6
Operating Junction and Storage Temperature Range		TJT	-55 to 150		℃

THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter		Symbol	Typical	Maximum	Unit
Maximum Junction-to-Ambienta	t≤5s	RmIA	45	62.5	C/W
	Steady State		90	110
Maximum Junction-to-Foot (Drain)	Steady State	RmJF	25	30

相关推荐：

Vishay威世VS-FC270SA20功率MOSFET模块

Vishay STH军用H级湿式钽电容器

Vishay TSMP97000红外接收器模块

更多vishay相关产品信息可咨询cq9电子官网入口创展。

上一篇: Solitron 2N5911/2N5912双通道N沟道JFET

下一篇: PMTA-0218-17-2低噪声放大器Princeton Microwave