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  Infineon英飞凌JANSR2N7626UBN单P沟道抗辐射MOSFET 2024-04-11 09:25:34

  JANSR2N7626UBN单P沟道MOSFET具备抗辐射能力，-60V电压等级，-0.53A输出电流。特性包括单粒子效应强化、快速切换、低总门电荷、CMOS和TTL兼容。适用于负载点转换器、同步整流、配电电路等。产品型号：JANSR2N7626UBN。

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  Ampleon CLL3H0914L-700和CLL3H0914LS-700 RF GaN-SiC HEMT功率晶体管 2025-01-03 08:54:49

  Ampleon公司的CLL3H0914L-700和CLL3H0914LS-700是700W内部预匹配的RF GaN-SiC HEMT功率晶体管，适用于0.9 GHz至1.4 GHz频率范围，具有出色的效率、热阻和坚固性，适用于航空电子应用；关键特性包括不同频率下的输出功率、功率增益、漏极效率、输入回波损耗等参数，还涉及热阻、漏源电压等多项指标，储存温度为-65℃ ~+150℃，且能承受特定条件下的额定负载功率。