Linear Systems 3N165/3N166单片双P通道MOSFET

发布时间：2024-08-05 09:13:13 浏览：484

　　Linear Systems 3N165和3N166是单片双P通道增强型MOSFET，具有以下特点和应用优势：

　　主要特点

　　高输入阻抗：这使得它们非常适合需要高阻抗输入的应用，减少了对前级电路的影响。

　　高栅极击穿电压：允许在更高的电压下工作，增强了器件的可靠性和适用范围。

　　超低泄漏电流：在关闭状态下几乎不消耗电流，这对于低功耗和精密测量应用至关重要。

　　低电容：有助于减少信号延迟和失真，提高信号处理的精确度。

　　应用场景

　　模拟信号处理：由于其高输入阻抗和低泄漏特性，非常适合用于放大器、滤波器和其他模拟信号处理电路。

　　精密测量仪器：在需要高精度测量和低噪声的环境中，这些MOSFET可以提供稳定和可靠的性能。

　　高电压操作：在需要处理高电压信号的应用中，如电源管理和电压转换器，这些器件可以安全可靠地工作。

　　封装和引脚配置

　　SOIC封装：适合表面贴装技术，便于自动化生产。

　　- 引脚配置：NC, G2, G1, D1, Body, D2, NC

　　TO-99封装：传统的通孔封装，适用于需要更高散热能力的应用。

　　- 引脚配置：Case & Body, G2, G1, S1 & S2, D1, NC, D2, NC

规格参数：

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ and Ves=0 unless otherwise noted)
SYMBOL	CHARACTERISTIC	3N165 & 3N166		LS3N165 & LS3N166		UNITS	CONDITIONS
SYMBOL	CHARACTERISTIC	MIN	MAX	MIN	MAX	UNITS	CONDITIONS
IGs5R	Gate Reverse Leakage Current		10		100	pA	VGs=40V
lcssF	Gate Forward Leakage Current		-10		100		Vgs=-40V
lcssF	Gate Forward Leakage Current		25				TA=+125℃
pss	Drain to Source Leakage Current		200		200		Vos=-20V,Vgs=Ves=0V
IsDs	Source to Drain Leakage Current		400		400		Vso=-20V,VGp=VDB=0V
D(on)	On Drain Current	-5	30	-5	-30	mA	Vos=-15V VGs=-10V Vss=0V
Vosoh	Gate Source Threshold Voltage	-2	-5	-2	-5	V	Vos=-15V lo=-10μA Vsg=0V
VGsm	Gate Source Threshold Voltage	-2	-5	-2	-5	V	Vos=Vgs lo=-10μA Vsa=0V
Ds(on	Drain Source ON Resistance		300		300	ohms	Vgs=-20V lo=-100μA Vsa=0V
gis	ForwardTransconductance	1500	3000	1500	3000	μS	Vos=-15V lo=-10mA f=1kHz Vse=0V
gos	Output Admittance		300		300	μS	Vos=-15V lo=-10mA f=1kHz Vse=0V
Cs	Input Capacitance		3.0		3.0	pF	Vos=-15V lo=-10mA f=1MHz (NOTE 3)Vsa=0V
Css	Reverse Transfer Capacitance		0.7		1.0
Coss	Output Capacitance		3.0		3.0
RE(Ys)	Common Source Forward Transconductance	1200				μS	Vos=-15V lo=-10mA f=100MHz (NOTE 3)Vsa=0V

　　Linear Systems 3N165和3N166单片双P通道MOSFET因其高输入阻抗、高栅极击穿电压、超低泄漏电流和低电容特性，在模拟信号处理和精密测量领域中表现出色。无论是SOIC还是TO-99封装，都提供了灵活的选择，以适应不同的设计和生产需求。

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