Solitron 2N4338和2N4339 N沟道JFET

发布时间:2025-07-01 09:27:11     浏览:67

  Solitron Devices公司的2N4338和2N4339是专为低噪声应用设计的N沟道结型场效应晶体管(JFET),采用单晶硅工艺制造。这两款器件在工业、军事和航空航天领域有着广泛应用,特别适合需要高可靠性、低噪声和稳定性能的电路设计。

Solitron 2N4338和2N4339 N沟道JFET

参数2N43382N4339单位测试条件
漏极饱和电流(IDSS)0.2-0.60.5-1.5mAVDS=15V, VGS=0V
栅源截止电压(VGS(OFF))<1.0<1.8VVDS=15V, ID=50nA
正向跨导(GFS)1200-24001600-3000μSVDS=15V, VGS=0V, f=1kHz
输入电容(Ciss)5-75-7pFVDS=15V, VGS=0V, f=1MHz
反向传输电容(Crss)2.5-3.52.5-3.5pFVDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

  关键优势:

  超低噪声系数(4.2 nV/√Hz典型值)

  极低截止电压(2N4338<1.0V,2N4339<1.8V)

  优异的温度稳定性(-55°C至+125°C)

  高增益和良好的线性度

  动态特性

  噪声性能:2N4338在1kHz时噪声系数低至4.2nV/√Hz,非常适合音频前置放大应用

  频率响应:功率增益带宽积约50MHz(典型值)

  开关速度:开启延迟时间约10ns(RL=1kΩ, VDD=15V)

  封装

  TO-18金属封装:

  3引脚圆形金属外壳

  尺寸:φ5.2mm×4.7mm(典型值)

  重量:0.35g(典型值)

  符合MIL-STD-750标准

  SOT-23塑料封装:

  3引脚表面贴装

  尺寸:2.9mm×1.6mm×1.0mm

  适合高密度PCB设计

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