Solitron 2N4338和2N4339 N沟道JFET
发布时间:2025-07-01 09:27:11 浏览:67
Solitron Devices公司的2N4338和2N4339是专为低噪声应用设计的N沟道结型场效应晶体管(JFET),采用单晶硅工艺制造。这两款器件在工业、军事和航空航天领域有着广泛应用,特别适合需要高可靠性、低噪声和稳定性能的电路设计。
参数 | 2N4338 | 2N4339 | 单位 | 测试条件 |
漏极饱和电流(IDSS) | 0.2-0.6 | 0.5-1.5 | mA | VDS=15V, VGS=0V |
栅源截止电压(VGS(OFF)) | <1.0 | <1.8 | V | VDS=15V, ID=50nA |
正向跨导(GFS) | 1200-2400 | 1600-3000 | μS | VDS=15V, VGS=0V, f=1kHz |
输入电容(Ciss) | 5-7 | 5-7 | pF | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz |
反向传输电容(Crss) | 2.5-3.5 | 2.5-3.5 | pF | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz |
关键优势:
超低噪声系数(4.2 nV/√Hz典型值)
极低截止电压(2N4338<1.0V,2N4339<1.8V)
优异的温度稳定性(-55°C至+125°C)
高增益和良好的线性度
动态特性
噪声性能:2N4338在1kHz时噪声系数低至4.2nV/√Hz,非常适合音频前置放大应用
频率响应:功率增益带宽积约50MHz(典型值)
开关速度:开启延迟时间约10ns(RL=1kΩ, VDD=15V)
封装
TO-18金属封装:
3引脚圆形金属外壳
尺寸:φ5.2mm×4.7mm(典型值)
重量:0.35g(典型值)
符合MIL-STD-750标准
SOT-23塑料封装:
3引脚表面贴装
尺寸:2.9mm×1.6mm×1.0mm
适合高密度PCB设计
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