IRLML6401TRPBF:12V单通道P沟道功率MOSFET

发布时间:2024-11-08 09:15:26     浏览:346

IRLML6401TRPBF:12V单通道P沟道功率MOSFET

  IRLML6401TRPBF是由英飞凌科技推出的12V单P沟道功率MOSFET,采用微型3(SOT-23)封装,是专为低功耗和低频率应用设计的高效能半导体器件。以下是该产品的详细特点和优势:

  产品特点:

  平面单元结构:提供宽广的安全工作区域(SOA),增强了器件的可靠性和耐用性。

  广泛可用性:针对分销合作伙伴优化,确保了产品的可获得性。

  JEDEC标准认证:按照电子行业标准进行产品认证,保证了产品的质量和一致性。

  硅片优化:特别优化用于低于100kHz的开关应用,确保了在低频条件下的高性能。

  行业标准封装:采用行业标准的表面贴装封装,便于自动化装配和设计替换。

  产品优势:

  增强的鲁棒性:设计上注重提高器件的耐用性和可靠性。

  广泛的分销网络:确保了产品的广泛可获得性。

  行业标准的认证:提供了符合行业标准的认证水平。

  低频应用中的高性能:在低频开关应用中表现出色。

  直接替换能力:标准的引脚排列允许直接替换其他兼容器件。

  潜在应用:

  DC开关:适用于直流电路中的开关控制。

  负载开关:用于控制电气负载的开启和关闭。

  技术规格:

  最大漏极电流(@25°C):-4.3 A

  潮湿敏感度等级:1级

  安装类型:表面贴装(SMD)

  最大功耗(@TA=25°C):1.3 W

  封装类型:SOT-23

  极性:P沟道

  门极电荷(@4.5V):典型值10 nC

  门极-漏极电荷:2.6 nC

  导通电阻(@4.5V):最大50 mΩ

  热阻(JA):最大100 K/W

  特色功能:小功率

  最大结温:150°C

  最大漏源电压:-12 V

  门源电压阈值:最小-0.55 V,最大-0.95 V至-0.4 V

  门极电压:最大8 V

  IRLML6401TRPBF以其高性能、可靠性和易于集成的特点,非常适合用于各种低功耗和低频率的开关应用,如电源管理、电机控制和电池供电设备。深圳市cq9电子官网入口创展科技有限公司,优势分销Infineon英飞凌部分产品线,快速交付,欢迎联系。

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